OTSUKA大塚电子 分光椭偏仪
大塚电子 FE-5000 系列分光椭偏仪，实现纳米级单层 / 多层薄膜无损深度表征，同时获取膜厚与光学常数，满足前沿材料研发、半导体与光学薄膜制程高精度物性检测需求。

大塚电子（OTSUKA）FE-5000 系列分光椭偏仪，依托旋转检偏器式椭圆偏振光谱测量技术，实现非接触、无损伤薄膜表征。区别于普通分光干涉膜厚监测仪，椭偏仪可精准解析纳米级超薄膜、吸收型薄膜、多层叠膜，同步获取膜厚、折射率 n、消光系数 k、界面粗糙度等关键参数，兼顾实验室研发离线检测与制程原位评估，广泛应用半导体、显示面板、光学镀膜、化合物半导体、光伏新材料领域，是薄膜物性深度分析核心设备。

OTSUKA大塚电子 分光椭偏仪

线性偏振光以设定角度入射样品表面，薄膜上下界面反射光的 s 偏振、p 偏振分量发生振幅与相位差异，反射光转变为椭圆偏振光。

设备采集椭偏参数 tanψ、cosΔ，结合多波长光谱与光学模型拟合运算，求解薄膜厚度、折射率、消光系数及其波长色散特性；支持多角度可变测量，大幅降低薄膜拟合歧义，实现单层、多层复合薄膜精准解析。

OTSUKA大塚电子 分光椭偏仪

• 椭偏基础参数：tanψ、cosΔ 光谱采集；

• 薄膜厚度解析：测量区间 0.1nm～1μm，可解析数十层多层薄膜；

• 光学常数分析：折射率 n、消光系数 k，输出全波段色散曲线；

• 界面特性评估：界面层厚度、表面粗糙度、混合层组分（EMA 有效介质模型）；

• 模型拟合：柯西模型、洛伦兹模型、Tauc-Lorentz 模型等多种色散模型；

• 数据存储、光谱导出、测量配方保存与批量自动检测。